RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3138
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link