RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3889
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link