RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3469
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link