RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
4152
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link