RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2472
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link