RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
77
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1549
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link