RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2349
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link