RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2466
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link