RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2609
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link