RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3068
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link