RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2186
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link