RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
1718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link