RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
71
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
1767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link