RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.6
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2955
2397
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link