RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2800
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link