RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2916
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link