RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link