RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3406
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link