RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link