RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link