RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link