RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
3870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link