RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link