RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link