RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link