RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3406
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link