RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link