RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link