RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link