RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link