RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2795
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link