RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2741
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link