RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link