RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3259
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link