RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2213
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link