RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CM2X1024-6400 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link