RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
71
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
71
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
1484
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link