RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link