RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2791
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link