Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 28

Wokół strony 4% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

11.9 10.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.3 7.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1444 2108

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns