RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
50
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology C 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link