RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
92
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,433.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
92
Prędkość odczytu, GB/s
3,234.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,433.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
462
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link