RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
65
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link