RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link