RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905399-003.A00LF 1GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KingSpec KingSpec 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link