RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link