RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
4069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link