RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3074
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link