RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2163
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link