RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link